左の画像はSi基板に膜厚８５０ÅのSiO2を成膜して２ｍｍ角のチップを作り、さらにエッチングによって深さ３０Åの格子を縦横２０本切り、幅１００μｍの単位グリッドを形成しました。
HR4000Kの高解像度の測定によって、連続的に拡大しても鮮明度を保持しています。
単位グリッド幅１００μｍを３００ピクセルにまで拡大しても鮮明な画像を得ることができます。
２次元エリプソメータを使用することによって、デバイスチップ内のテストエリアの面積を縮小でき、またスクライブラインを膜厚モニターとして使用することができます。
図の下部は膜厚の度数分布を表すヒストグラムです。疎視的には１つのピークしか持たない度数分布も、拡大して微視的に観測するにつれ幾つか（4個）のピークの正規分布に分かれ、サンプルに存在している構造が明らかになります。
測定データから導かれるフーリエ解析や自己相関関数はパターンの対称性を表現します。
ナノサイズの構造が集団を成しているとき、これら物理量のウエハー内及びウエハー間での対称性および対称性の破れの計測とその原因の究明は、それを形成した成膜技術を評価し、技術開発の目標が明らかになることを意味します。
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