■有機汚染の測定

　有機粒子の付着による化学的欠陥は電気的品質の劣化に導きます。
　図はＨＲ４０００Ｋによってウェーハ保管のプロセスにおいて発生する有機汚染を時系列でおった膜厚の測定データです。
屈折率の測定データを参照することによって、汚染の原因と汚染源の推定を行うことができます。
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■ＳＯＩ内部の構造の不均一

　歪みSOIの2元エリプソメータによる測定データです。　
　２次元エリプソメーターによって、世界で始めて観測されたこのパターンは何を意味しているのでしょうか？
　ここにあらわれている縞模様が膜厚ムラなどの幾何学的原因によるものではないことは確認されています。エリプソメトリイによる解析では、上図においては主にＳＯＩ層の屈折率（密度などの関数）に不均一性が存在しています。
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■チップの膜厚構造

　光学顕微鏡の解像度は光の波長によって制約され、均質な材料での０．１μｍ以下の凹凸のプロフィールを観測することはできません。
　左図はSiO2（膜厚850Å）に１００ミクロン間隔の格子を構成したサンプルの膜厚分布です。
　ユーレカの２次元エリプソメータは、光学顕微鏡では見ることのできないサンプルの材質や厚みの分布をÅの精度で定量的に測定し、２次元画像として表現します。
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■貼り合わせSOIの膜厚分布

　ＳＯＩ層の厚さむらが観測されています。HR4000Kは、ウエハーを動かしながら大領域を測定します。　
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基板の表面不規則性と品質管理

　薄膜の物性量とその揺らぎを定量的に計測し、それをサンプルおよびプロセスパラメーターと関連付けて解析することによって、デバイスの物理特性の変動を制御して品質を安定させることができます。
　プロセスのどの段階で電気的異常につながる物理特性の変動が生じるかを確認できれば、その工程をモニターすることによってコストの削減が可能になります。
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CMPによって平坦化したPTEOS膜のQR120Kによる測定

　図は１５０㎜φシリコンウエハー上に形成した膜厚約1.5μmのPTEOS膜をCMP装置によって約8000Åまでに研磨したサンプルの膜厚をQR１２０Kによって測定した画像です
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２次元エリプソメータの装置構成

　サンプリング定理によってサンプル面内の不規則性の１／２以下の細かい点で測定することが必要です。
　ユーレカの２次元エリプソメータはビームの平行度が確保できるよう十分大きなビーム径の平行光線を入射光として使用します。そして反射光学系で、反射光を数１０万から１００万本以上の微細なビームに分割します。
　HR4000Kは１点測定方式のエリプソメータ　1,400,000台に相当する性能を同時に１台で実現します。
　ユーレカの２次元エリプソメータは、微細な不規則性や構造がある極薄膜やデバイスにおいても高精度の測定を可能にします。
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