CMP装置によって約8000Åまでに研磨したPTEOS膜の膜厚分布。
半導体プロセスのキーテクノロジーの1つである CMP（Chemical mechanical Polishing）は、膜厚の制御とともに、欠陥や膜密度などの膜質の管理が求められています。
CMPは、熱拡散による酸化膜形成と比べてはるかに複雑な物理化学的、機械的プロセスで、結果の評価のためには、統計的解析が行えるほどの大量のデータが必要です。
図は１５０㎜φシリコンウエハー上に形成した膜厚約1.5μmのPTEOS膜をCMP装置によって約8000Åまでに研磨した２枚のサンプルの膜厚(127,000点)を画像として表示したものです。
全体図（上図）からウエハー面内で研磨条件が不均一であることによっておこった膜厚の不均一性が観測されます。
拡大図（下図）からウエハー上に残存しているパーティクルの存在とその分布を知ることができます。
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