Ｓｉエピタキシャルウエハーのエピ層および界面の測定データ
基板温度を約３００℃の条件でＳｉ基板上にエピタキシャル成長を行ったサンプルの測定データです。
エピタキシャル層の屈折率からこの層がアモルファス構造をしていることがわかります。（上図）
このサンプルにおいては基板とエピタキシャル層の間に界面が形成されています。
界面の厚みと構造は基板の保管条件の影響を受けます。
大気中で基板を保管した後エピタキシャル層を形成したサンプルの界面は、やや厚く、屈折率のデータから自然酸化膜が残留していることがわかります。（中図）
窒素雰囲気中で基板を保管した後エピタキシャル層を形成したサンプルの界面は、やや薄く、屈折率のデータから酸チッカ膜が残留していることがわかります。（下図）
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